根据美国政府国家可再生能源实验室（NREL）科学家的研究找到，硅太阳能电池如果不存在一定的缺失或许可以提升电池性能。 此项研究结果公布在《应用于物理快报》（AppliedPhysicsLetters），也是美国能源部SunShot计划资助的研究项目的一部分。NREL首席研究员PaulStradins回应，此项研究结果看起来与传统观点互为背离。
传统观点一般来说指出，硅太阳能电池中所谓的深层缺失一般来说被指出是很差的，因为它们不会重组电荷载流子（电荷载体），从而减少电池效率。 但是NREL研究找到，故意设计的性能缺失实质上可以强化电池的载流子搜集，贤吸取层的表面腐蚀。 NREL团队在实验室的超级计算机上展开了很多模拟实验，在硅晶片邻接的水解层加到杂质。
具体来讲，他们在厚的隧道二氧化硅层引进杂质；还在硅晶片邻接的氧化铝表面腐蚀层加到杂质。 这两种情况下加到杂质，被指出是有益的，通过提高电池多数载流子的传输速度，敌视少数载流子，能提升整体效率。 NREL模拟实验从硅晶片邻接的水解层除去某些原子，用一个有所不同元素的原子来更换，从而建构出有虚拟世界的缺失。
例如，当氧原子被氟原子更换，这样就不会产生一个缺失，进而可以增进电子搜集。 示意图：缺失点（红十字部分），有助从光吸收体搜集电子，挡住漏洞，进而诱导载流子填充。 NREL研究回应，确认出有准确的“缺失”才是过程的关键，通过更进一步研究将不会确认哪一处缺失将不会产生最差的结果。
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